一种全熔高效硅块制造装置
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摘要
本实用新型公开了一种全熔高效硅块制造装置，属于硅块生产领域，包括炉壳和坩埚，所述坩埚镶嵌于炉壳内部，所述炉壳内部底端焊接有隔温底座，所述隔温底座顶端表面开设有限位滑槽，所述限位滑槽内部滑扣安装有坩埚底座，所述坩埚底座与坩埚底端相互连通，所述坩埚表面套扣安装有冷却液循环管组，所述炉壳一侧表面镶嵌有储液箱。本实用新型利用储液箱内的多级管道离心泵依次向冷却液循环管组内注入冷却液，对坩埚进行分层冷却降温，减少硅块内部错位以及防止硅块晶裂的情况，本装置采用全熔工艺，不需要使用籽晶，成本相对有籽晶的半熔工业要低，而且不需要控制籽晶回炉，生产自动化与效率较高，工艺周期短，硅块硬度低，更利于产业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种全熔高效硅块制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920954683.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN210825440U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
刘磊磊
申请人 ：
浙江鹏展新能源科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道台升大道1号17号楼
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖银洪
优先权 ：
CN201920954683.2
主分类号 ：
C01B33/021
IPC分类号 ：
C01B33/021 F27B14/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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