半导体激光泵浦源封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光泵浦源封装结构，包括多个半导体芯片，还包括绝缘底座和与半导体芯片一一对应的热沉，绝缘底座呈台阶状，每个台阶面上均间隔设置有第一导电层和第二导电层，台阶面上的第一导电层与相邻一侧台阶面上的第二导电层通过设于台阶侧壁的第三导电层电连接；热沉的上表面连接于半导体芯片，热沉的下表面连接于台阶面。该半导体激光泵浦源封装结构取消了铝线键合结构，无需外部提供电连接结构，简化了封装工艺，改善了封装结构，提高了封装可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体激光泵浦源封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921010280.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN209913232U
授权日 ：
2020-01-07
发明人 ：
郝自亮宋克江胡慧璇
申请人 ：
武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新大道999号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
魏雪梅
优先权 ：
CN201921010280.9
主分类号 ：
H01S5/022
IPC分类号 ：
H01S5/022 H01S5/40
法律状态
2020-01-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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