一种高产能1600片五管低压扩散设备
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种高产能1600片五管低压扩散设备,包括主机,所述主机的正面通过合页铰接有主机门,所述主机的左侧设置有气源柜,并且主机的右侧设置有密封炉,所述密封炉的右侧设置有低压密封门,并且密封炉的内部设置有工艺管,所述低压密封门的中部且位于工艺管的右端设置有入料口,本实用新型涉及低压扩散炉技术领域。该高产能1600片五管低压扩散设备,通过主机的左侧设置有气源柜,并且主机的右侧设置有密封炉,密封炉的右侧设置有低压密封门,通过紧凑的结构形式省掉了每台设备的预留控制,相当于现在的两台设备只需要原先一台设备的操作空间,两列工艺管可以共用工作台的送取料系统,大幅度上降低了晶片的生产成本。

基本信息
专利标题 :
一种高产能1600片五管低压扩散设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921046956.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-06
授权号 :
CN210287585U
授权日 :
2020-04-10
发明人 :
崔慧敏林罡王鹏曹其伟
申请人 :
无锡华源晶电科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市无锡新吴区无锡中关村软件园12号楼(B3)101、201室
代理机构 :
无锡嘉驰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
盛际丰
优先权 :
CN201921046956.X
主分类号 :
C30B31/10
IPC分类号 :
C30B31/10  C30B31/14  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
C30B31/10
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2021-06-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 31/10
登记生效日 : 20210608
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 无锡华源晶电科技有限公司
变更后权利人 : 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 214135 江苏省无锡市无锡新吴区无锡中关村软件园12号楼(B3)101、201室
变更后权利人 : 200000 上海市松江区思贤路3255号3幢402室
2020-04-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332