一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种倒装GaN基HEMT‑LED集成器件，自上而下依次包括衬底、缓冲层，缓冲层的下表面一部分设置有N型导电层，另一部分设置有氮化镓(GaN)沟道层，在N型导电层的下表面自上而下依次包括多量子阱有源区、P型导电层、P型欧姆接触反射镜、P电极和P电极基板，氮化镓(GaN)沟道层的下表面设置有铝镓氮(AlGaN)势垒层，铝镓氮(AlGaN)势垒层的下表面设置有源电极和栅电极，P电极基板、源电极基板和栅电极基板共同设置在散热基板上并与散热基板接触，该集成器件与散热基板通过金属电极接触，热阻小，散热效果好，可以有效的降低HEMT‑LED器件的结温，提高器件发光效率、可靠性和使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装GaN基HEMT-LED集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921193110.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN210692539U
授权日 ：
2020-06-05
发明人 ：
徐明升王晓敏葛磊
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市历城区山大南路27号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
张宏松
优先权 ：
CN201921193110.9
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L33/46 H01L33/64 H01L21/82
法律状态
2020-06-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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