光电集成器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种光电集成器件，包括半导体基底，在所述半导体基底中至少包括一光电器件；覆盖所述半导体基底的第一表面的第一介电层；覆盖所述第一介电层的绝缘层；位于所述绝缘层中的第一开口，所述第一开口裸露所述光电器件区域上方的所述第一介电层；覆盖所述第一介电层的第二介电层，其中，所述第一介电层和所述第二介电层为抗反射层。本实用新型提供的光电集成器件使得光线只通过所述抗反射层即可进入所述光电器件，不仅可以获得优良的光学特性，还减小了制造成本。
基本信息
专利标题 ：
光电集成器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020771473.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-11
授权号 ：
CN211980617U
授权日 ：
2020-11-20
发明人 ：
吕政何惠森黄贤国
申请人 ：
矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020771473.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2020-11-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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