具纳米环的微发光二极管量子点基板结构
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摘要

本实用新型公开了具纳米环的微发光二极管量子点基板的结构,其是包括了一基板、形成在该基板一侧表面上形成有一层的绿光发光二极管层、在所述的蓝光发光二极管层的表面上形成有复数个具几何形状的中空装置、于一部份的中空装置中设有红色的量子点,剩余的部份则维持着空置的中空装置,以及一层仅覆盖在有红色量子点的中空装置上的分布式布拉格反射层。

基本信息
专利标题 :
具纳米环的微发光二极管量子点基板结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921369946.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-08-22
授权号 :
CN210224056U
授权日 :
2020-03-31
发明人 :
郭浩中佘庆威朱国雄宋琦丽刘召军张祐维周嘉柔张秋莹
申请人 :
佛山市柔浩电子有限公司
申请人地址 :
广东省佛山市南海区桂城街道深海路17号瀚天科技城A区8号楼十一楼1103-2C单元
代理机构 :
上海唯源专利代理有限公司
代理人 :
曾耀先
优先权 :
CN201921369946.X
主分类号 :
H01L33/08
IPC分类号 :
H01L33/08  H01L33/00  
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法律状态
2020-03-31 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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