一种多量子阱结构及发光二极管
授权
摘要
本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及发光二极管，其中多量子阱结构包括第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第三量子阱层由第三阱层和第三垒层交替层叠而成，其特征在于：所述第三垒层包括依次层叠的第一GaN子层、第一InGaN子层、第二InGaN子层、第三InGaN子层、第二GaN子层。本实用新型可以减少电子溢流及空穴穿隧效应，进而降低发光区非辐射复合效率并改善efficiency droop效应。
基本信息
专利标题 ：
一种多量子阱结构及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022230865.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN213636023U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
李家安李政鸿林兓兓张家豪
申请人 ：
安徽三安光电有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022230865.0
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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