量子点发光二极管及其制备方法与光源结构

授权

摘要

本申请涉及量子点发光二极管及其制备方法与光源结构；量子点发光二极管包括阳极、量子点发光层与阴极；所述量子点发光二极管还包括设于所述阳极与所述量子点发光层之间的混合层，所述混合层包括电子提取材料和空穴传输材料。上述量子点发光二极管，直接从改进QLED结构出发，通过在阳极与量子点发光层之间设置包含电子提取材料的混合层的创新设计，以引走量子点发光层中过量的电子，从根本上改进了电子过多导致量子点充电的难题，减小了量子点发光层的量子点的充电程度，从而促进电荷平衡，且增大了量子点发光层的荧光寿命和辐射复合效率，进而提高QLED的性能和寿命。

基本信息

专利标题：

量子点发光二极管及其制备方法与光源结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111162183A

申请号：

CN201910196226.6

公开（公告）日：

2020-05-15

申请日：

2019-03-15

授权号：

CN111162183B

授权日：

2022-06-10

发明人：

苏亮

申请人：

广东聚华印刷显示技术有限公司

申请人地址：

广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司

代理人：

黄鸿华

优先权：

CN201910196226.6

主分类号：

H01L51/50

IPC分类号：

H01L51/50 H01L51/56