一种带裂解的硒束源炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种带裂解的硒束源炉，炉体内侧壁固定连接有低温炉，低温炉内置有低温炉坩埚，低温炉炉丝安装筒的内侧壁与低温炉的外侧壁之间设有间隙，低温炉的下侧壁通过螺栓固定安装在低温炉盘的上侧壁，对低温炉起到稳定的支撑作用，保证低温炉稳定进行工作，低温炉的上侧壁通过连接杆固定连接有高温炉，高温炉内置有高温难熔金属筒，高温难熔金属筒的外侧壁固定安装有高温加热器，高温加热器连接外部电源，在进行硒化实验的时候，硒在气化的过程通过高温加热器将高温炉内的温度提升至1000℃左右，在硒扩散的管道上加温1000℃，让大分子团的硒，都裂解成小分子状态，形成均匀的硒蒸汽，从而改善镀膜质量和稳定性能。
基本信息
专利标题 ：
一种带裂解的硒束源炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921520038.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN210529040U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
钱进韩晓
申请人 ：
沈阳奇汇真空技术有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈北新区蒲文路16-69号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921520038.6
主分类号 ：
C23C14/26
IPC分类号 ：
C23C14/26 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/26
电阻加热蒸发源法或感应加热蒸发源法
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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