一种防硫化COB封装结构

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本实用新型公开了一种防硫化COB封装结构，包括LED金属镜面载体，设置在LED金属镜面载体上的LED芯片，依次设置在LED芯片上的光转换沉积层、第一保护层、防硫化层、第二保护层，所述防硫化封装结构还包括阻挡墙；阻挡墙包裹在LED芯片、光转换沉积层、第一保护层、防硫化层和第二护层外；第一保护层的折射率为1.4‑1.45，导热系数≤0.16w/m·k；第二保护层的折射率为1.4‑1.52，硬度＞50shoreA。本实用新型在防硫化层与光转换沉积层间设置了第一保护层，并在防硫化层上设置了第二保护层，防止防硫化层高温失活和在外力下受损，改善其长期防硫化性能，延长LED器件的使用寿命。

基本信息

专利标题：

一种防硫化COB封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921521369.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-12

授权号：

CN211404522U

授权日：

2020-09-01

发明人：

陈智波苏佳槟刘俊鑫

申请人：

广州硅能照明有限公司

申请人地址：

广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4栋2层

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

贺红星

优先权：

CN201921521369.1

主分类号：

H01L33/44

IPC分类号：

H01L33/44 H01L33/56 H01L33/50 H01L33/48 H01L25/075

法律状态

2022-05-24 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 33/44
变更事项 : 专利权人
变更前 : 广州硅能照明有限公司
变更后 : 硅能光电半导体（广州）有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 510530 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城开源大道11号A4栋2层
变更后 : 510000 广东省广州市黄埔区开源大道11号A4栋201室

2020-09-01 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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