一种具有引导式提拉机构的单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种具有引导式提拉机构的单晶炉，该技术方案对单晶炉的内部构造以及提拉机构的具体构型进行了全新设计。具体来看，本实用新型在单晶炉内部设置了用于引导提拉机构的导向管，以确保单晶在生长过程中沿直线方向延伸；在此基础上，在提拉头下端的籽晶外周固定了导向筒，因此单晶沿籽晶下端附着、生长的过程，单晶会受到外周导向筒的限制，使其外缘呈较为规则的圆柱状。此外，本实用新型改进了测温机构在单晶炉上的承载模式，并设计了与之相匹配的单晶炉安装支座。应用本实用新型，可对单晶硅的附着、生长方向起到引导限制作用，具有良好的使用效果。
基本信息
专利标题 ：
一种具有引导式提拉机构的单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921840383.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN211036181U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
王志磊张燕玲邢德春王志卿于彩凤
申请人 ：
晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN201921840383.8
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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