静电保护单元及阵列基板
授权
摘要
本实用新型公开了一种静电保护单元及阵列基板，该静电保护单元包括悬浮栅极的第一薄膜晶体管、第一电容和第二电容，第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第一电容连接至第一薄膜晶体管的源极；第一薄膜晶体管的悬浮栅极通过第二电容连接第一薄膜晶体管的漏极。本实用新型在阵列基板的信号线上产生的静电荷时，信号线上的电压会通过第一电容耦合到第一薄膜晶体管的悬浮栅极，使第一薄膜晶体管的悬浮栅极打开，第一薄膜晶体管的源极和漏极在悬浮栅极的作用下导通，使信号线上的静电荷通过漏极迅速释放到静电保护线，降低了静电对阵列基板造成的损伤。
基本信息
专利标题 ：
静电保护单元及阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921905962.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-06
授权号 ：
CN210575951U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
程鸿飞郝学光
申请人 ：
北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室
代理机构 ：
北京金信知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔家源
优先权 ：
CN201921905962.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/423 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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