一种适用于大尺寸单晶拉制的内嵌式大轴托杆
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型提供一种适用于大尺寸单晶拉制的内嵌式大轴托杆,所述大轴托杆由原来的圆柱形改进为圆台状,包括托帽和下部托杆,坩埚埚托下端设有凹槽,所述托帽的形状、尺寸与所述凹槽一致,所述下部托杆为圆柱形且横截面面积小于所述托帽横截面面积,所述托帽的上部横截面面积小于下部横截面面积,圆台状的设计配合设置有内嵌式凹槽的坩埚埚托,减少大轴托杆的厚度,提高了坩埚在下限位时最大投料量,同时有效的增加了托杆的稳定性,能保证在运行中石墨埚稳定无异常的前提下,增加了坩埚的下限位距离,可以最大化的增加投料量,来提高大尺寸单晶的产出。

基本信息
专利标题 :
一种适用于大尺寸单晶拉制的内嵌式大轴托杆
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921976688.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-15
授权号 :
CN211921740U
授权日 :
2020-11-13
发明人 :
韩凯张文霞武志军郭谦霍志强郭志荣张石晶王胜利赵志远高润飞
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201921976688.1
主分类号 :
C30B15/10
IPC分类号 :
C30B15/10  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-06-29 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/10
登记生效日 : 20210617
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 内蒙古中环光伏材料有限公司
变更后权利人 : 天津中环半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 010070 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
变更后权利人 : 300384 天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号
2020-11-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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