本实用新型公开了一种单晶碳化硅晶片加工装置，包括真空载台基座和削载台，所述真空载台基座的输出端连接有旋转轴，旋转轴的上端连接有真空载台，真空载台上吸合有晶片，真空载台基座的一侧连接有电动伸缩杆，电动伸缩杆的上端连接有安装板，安装板的上表面连接有横板，所述横板的上通过滑槽活动连接有CCD摄像机。本单晶碳化硅晶片加工装置，本方法设计一激光脉冲头搭配旋转真空载台，将晶片放于真空载台上，利用CCD摄像机先做自动对焦，确认焦距后进行激光头从中心到晶片边缘激光雷刻，设定晶片所需移除的厚度，进行不同次数的激光扫描，缩短加工时间，降低砂轮损耗，提高单片磨削的效率，达到品质合格，降低成本提高产能。