一种碳化硅单晶片的镀膜装置
授权
摘要
本实用新型涉及碳化硅单晶片技术领域，具体为一种碳化硅单晶片的镀膜装置，包括机箱、固定安装在机箱顶部一侧的高压舱、两个分别固定安装在高压舱一侧的合页和固定安装在两个合页一侧的舱门，还包括移动固定机构、观测机构、夹持翻转机构和调节机构，本实用新型通过设置有夹持翻转机构，将单晶片放置在两个弧形板之间，打开电动推杆使电动推杆带动两个弧形板分别向内移动，直至防护垫与单晶片两侧贴紧固定，当防护垫贴紧固定时会受到一定的压力，从而带动伸缩弹簧向内收缩，从而对单晶片的两侧进行缓冲，防止电动推杆在夹持固定过程中压力过大导致单晶片的损坏，影响后续的使用，伸缩弹簧和防护垫可以更加便捷的对单晶片两侧进行防护。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅单晶片的镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122967528.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216514107U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
李有群王升贺贤汉高攀孙大方
申请人 ：
安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市经济开发区西湖三路
代理机构 ：
铜陵市天成专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
李坤
优先权 ：
CN202122967528.4
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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