一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器，包括底面形成有VCSEL阴极层的衬底基板，衬底基板表面顺序形成有下DBR层、有源区域、氧化限制层和上DBR层，氧化限制层和上DBR层之间设置有液晶盒层和偏光片层，液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极，液晶阳极为相隔预定间距的多列条状透明电极构成形成在氧化限制层表面，液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶，液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球，液晶阴极为整块透明电极构成形成在上取向层表面，偏光片层形成在液晶阴极表面并与上DBR层底面接触。本申请通过改变液晶阴阳极电压来改变VCSEL出光波长，能实现更低成本且应用范围广。
基本信息
专利标题 ：
一种可调出光波长的新型垂直腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922211427.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN210074423U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 ：
穆祥维
优先权 ：
CN201922211427.7
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183
法律状态
2020-06-23 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01S 5/183
登记生效日 : 20200603
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200603
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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