一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器
授权
摘要
本实用新型提供一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器，包括高反射率的DBR结构层，DBR结构层表面顺充形成有有源区域、质子注入层和液晶盒层，液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极，液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶，上下取向层和封框胶围成的液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球，DBR结构层底面中部形成有增透膜层，增透膜层两边形成有VCSEL阴极层。本申请通过质子注入层能够形成增益导引波导结构，进而可以降低阈值电流，并通过改变液晶层区域电压来改变液晶折射系数进而调节器件出光波长，实现VCSEL成本更低，同时通过增透膜层和VCSEL阴极层来减少吸收损耗，提高激光器最大输出功率。
基本信息
专利标题 ：
一种可调出光波长的新型底发射垂直腔面发射激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020137938.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-21
授权号 ：
CN211088741U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
杨沅钊李迈克张林
申请人 ：
中合博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 ：
穆祥维
优先权 ：
CN202020137938.9
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/187 H01S5/062
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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