一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构，属于半导体结构技术领域。所述PIN结结构为控制InGaAs材料上N型InP层厚度为10nm～30nm；N型InP上位掩膜层；对掩膜层光刻表面图形化，去除掩膜层区域为二次外延生长区域，在二次外延区域上有一层掺杂Zn的P型InP层。具有所述PIN结结构的InGaAs焦平面探测器集合了台面型和平面型InGaAs焦平面探测器的优点，方法简单、串音小、光敏元可控、电流小、均匀性高、探测率高并且对人员所处环境要求低。
基本信息
专利标题 ：
一种平面型铟镓砷焦平面探测器的PIN结结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922276927.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211789059U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
朱琴龚晓霞杨文运宋欣波李徳香肖婷婷范明国杜润来尚发兰吕浩柴圆媛太云见黄晖
申请人 ：
云南北方昆物光电科技发展有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市教场东路31号201副楼
代理机构 ：
北京理工大学专利中心
代理人 ：
周蜜
优先权 ：
CN201922276927.9
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/0352 H01L31/0304
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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