瞬变电压抑制二极管
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种瞬变电压抑制二极管。该瞬变电压抑制二极管，包括：衬底，在衬底的背面形成有第一离子掺杂区，第一离子掺杂区用于吸收衬底中的杂质，且第一离子掺杂区在后续工艺中被去除；第二离子掺杂区，位于衬底的正面；衬底和第二离子掺杂区的交界面形成PN结；氧化层，氧化层位于衬底的正面，氧化层包括第一窗口，第一窗口露出第二离子掺杂区；第一金属电极，第一金属电极覆盖第二离子掺杂区和氧化层；第二金属电极，第二金属电极位于衬底的背面。与现有技术相比，本实用新型实施例降低了瞬变电压抑制二极管的漏电流，提升了瞬变电压抑制二极管的性能。
基本信息
专利标题 ：
瞬变电压抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922322714.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-20
授权号 ：
CN211529956U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
高骏华裴紫伟曾剑飞
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王小衡
优先权 ：
CN201922322714.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/329
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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