GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，包括：N++层4、P+层5和P++层6；所述P++层6的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽1；所述P+层5设置于所述P++层6的上侧，所述N++层4设置于所述P+层5的上侧；所述N++层4的侧面、所述P+层5的侧面以及所述腐蚀沟槽1内设置有钝化玻璃2。采用P+衬底，由于P+衬底均一性更佳，产品VB更加均匀，符合瞬间电压抑制二极管特性。采用倒梯形沟槽形状，避免了光刻胶掩膜的鸟嘴形状，提高电泳玻璃的均一性，减少尖端放电的风险。
基本信息
专利标题 ：
GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021242844.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212209498U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
王军明盛锋李晖
申请人 ：
上海瞬雷科技有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区真南路4268号2幢J9215室
代理机构 ：
上海段和段律师事务所
代理人 ：
李佳俊
优先权 ：
CN202021242844.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861 H01L21/328
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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