瞬变电压抑制二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种瞬变电压抑制二极管，包括：衬底；位于所述衬底背面的第一电极；位于所述衬底正面的第一离子掺杂区；位于所述第一离子掺杂区远离所述第一电极一面的多个第二离子掺杂区；所述第二离子掺杂区的离子掺杂浓度，大于所述第一离子掺杂区的离子掺杂浓度；所述第一离子掺杂区掺杂有第一类型离子，所述第二离子掺杂区掺杂有第二类型离子；覆盖所述第二离子掺杂区及所述第一离子掺杂区的第二电极。本实用新型实施例能够实现第一离子掺杂区和第二电极的欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
瞬变电压抑制二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922445887.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN214705934U
授权日 ：
2021-11-12
发明人 ：
顾兴冲贾雪松高超
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王小衡
优先权 ：
CN201922445887.6
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2021-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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