一种瞬态电压抑制二极管及电子产品
授权
摘要
本实用新型公开了一种瞬态电压抑制二极管及电子产品，包括：衬底，设置在所述衬底上方的外延层和设置在外延层内的阱区，所述阱区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相反，其特征在于，所述阱区的外围设置有第一沟槽，所述第一沟槽的外围设置有第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料；本实用新型还公开了一种包括上述一种瞬态电压抑制二极管的电子产品。本实用新型公开的技术方案可以大幅增加芯片的有效面积，增强产品的浪涌能力。
基本信息
专利标题 ：
一种瞬态电压抑制二极管及电子产品
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922081599.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN210575965U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
李登辉许成宗刘凯哲
申请人 ：
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922081599.7
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L21/329 H01L29/06
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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