本申请公开了一种坩埚组件及碳化硅粉料合成炉，属于半导体材料制备领域。该坩埚组件包括坩埚和导流件，所述坩埚设置一级进气孔；所述导流件设置在所述坩埚形成的坩埚腔内，所述导流件包括设置多个二级进气孔的进气板和分别与所述二级进气孔连通的多个多孔导流管；所述进气板将所述坩埚腔分成缓冲腔和合成腔，原料气进入一级进气孔后沿着缓冲腔、二级进气孔和多孔导流管的路径从多孔导流管的孔隙流至合成腔，并与合成腔内固体原料反应。该坩埚组件及合成炉用于气固合成粉料如碳化硅粉料的粒度不仅均匀，而且可以控制制得特定粒径的粉料。