一种碳化硅合成电阻炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅合成电阻炉，其特征在于，至少包含炉底支架(3)和炉壁板(6)，所述炉底支架(3)为条状体，其两端为水平部(31)，中间部分低于两端的水平部(31)，所述水平部(31)上远离中心的一端设有与水平部(31)垂直的挡块(32)，所述水平部(31)上设有炉壁板(6)且炉壁板(6)垂直于水平部(31)设置，所述挡块(32)能够限制炉壁板(6)的位移。与现有技术相比，本实用新型具有结构简单，电阻炉的安装拆卸方便，提高工作效率，减少了设备的损耗，节约生产成本等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅合成电阻炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922487548.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN211226360U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
由远洪何军赵阳胡东廖礼程
申请人 ：
石河子市丰拓硅材料科技有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区石河子市开发区纬一路17号
代理机构 ：
乌鲁木齐恒智专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张永婷
优先权 ：
CN201922487548.4
主分类号 ：
C01B32/956
IPC分类号 ：
C01B32/956
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/90
碳化物
C01B32/914
单一元素碳化物
C01B32/956
碳化硅
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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