具有凹入形状以在相邻磁体之间形成部分接触区域的一体磁体
授权
摘要
本发明涉及一体磁体(1)，其具有细长形状，并且包括第一纵向部分(1a)，该第一纵向部分(1a)的外部轮廓具有向着一体磁体(1)的内部的方向凹入的形状(6)，所述凹入形状(6)在所述第一部分(1a)的长度的至少一部分上延伸和/或在所述一体磁体(1)的至少一个纵向端部附近横向于所述一体磁体的纵向轴线在所述一体磁体(1)的周边的至少一部分上延伸。
基本信息
专利标题 ：
具有凹入形状以在相邻磁体之间形成部分接触区域的一体磁体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111801749A
申请号 ：
CN201980009733.2
公开（公告）日 ：
2020-10-20
申请日 ：
2019-01-18
授权号 ：
CN111801749B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
R·拉沃L·马耶尔V·米赫伊勒
申请人 ：
万络公司
申请人地址 ：
法国康布
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王永建
优先权 ：
CN201980009733.2
主分类号 ：
H01F7/02
IPC分类号 ：
H01F7/02 H02K1/27
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H
H部——电学
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H01F7/02
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法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-11-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 7/02
申请日 : 20190118
申请日 : 20190118
2020-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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