用于产生双梯度CdSeTe薄膜结构的方法
公开
摘要
本发明提出了一种用于形成双梯度CdSeTe薄膜的方法。所述方法包括：提供基础衬底；形成第一CdSewTe1‑w层，所述第一CdSewTe1‑w层具有处于其中的第一量w1的硒；形成第二CdSewTe1‑w层，所述第二CdSewTe1‑w层具有处于其中的第二量w2的硒；以及形成第三CdSewTe1‑w层，所述第三CdSewTe1‑w层具有处于其中的第三量w3的硒。所述第二量w2在介于0.25与0.4之间的范围内，而所述量w1和w3中的每一个均在0到1的范围内。根据本发明，所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层中的能隙等于或高于1.45eV，并且所述第二CdSewTe1‑w层中的能隙在介于1.38eV与1.45eV之间的范围内并且小于所述第一CdSewTe1‑w层和所述第三CdSewTe1‑w层的所述能隙。
基本信息
专利标题 ：
用于产生双梯度CdSeTe薄膜结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424348A
申请号 ：
CN201980098784.7
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭寿殷新建傅干华丹尼尔·梅诺斯迈克尔·哈尔巴斯蒂安·希普欣
申请人 ：
中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201980098784.7
主分类号 ：
H01L31/0296
IPC分类号 ：
H01L31/0296 H01L31/065 H01L31/18 H01L31/0224
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
