真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置。真空压产生装置包括真空压产生单元及稳定化模块。真空压产生单元排出工序区域流体以在工序区域形成真空。稳定化模块置于工序区域及真空压产生单元之间，为了提高工序区域的真空均匀性，其具有流体通过的至少两个弯曲的流体通道。工序区域内流体通过弯曲的流体通道排出，以提高工序区域内的真空均匀性。
基本信息
专利标题 ：
真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790612A
申请号 ：
CN200510115825.9
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋仁虎赵宽英
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
李伟
优先权 ：
CN200510115825.9
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/20 H01L21/3065 H01L21/31 H01L21/311 H01L21/3205 H01L21/3213 G05B19/048 C23C14/22 C23C16/44 C23F4/00 H01J37/32 G02F1/1368
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2011-04-06 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101079709681
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101158259
公开日 : 20060621
号牌文件序号 : 101079709681
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2005101158259
公开日 : 20060621
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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