微波等离子反应装置
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摘要

本申请涉及化学气相沉积装置领域,具体而言,涉及一种微波等离子反应装置。该装置包括壳体、沉积基台、微波输送结构以及限位件。微波输送结构包括介质天线和介质窗口。介质天线和介质窗口围合将壳体内腔分隔成第一腔室和第二腔室。沉积基台设置在第一腔室内。限位件位于第二腔室,介质天线通过限位件连接于壳体的内壁,以使介质天线的轴心线与沉积基台的轴心线重合。通过设置限位件能够将介质天线限定在预设的位置,保证介质天线的轴心线始终与沉积基台的轴心线重合。不仅能够提高对于介质天线的支撑强度以及稳定性,而且能够保证介质天线的位置始终在预设的位置,进而保证后续微波作用原料气体产生等离子体,准确地在沉积基台的预设位置沉积。

基本信息
专利标题 :
微波等离子反应装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111188023A
申请号 :
CN202010122113.4
公开(公告)日 :
2020-05-22
申请日 :
2020-02-26
授权号 :
CN111188023B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
丁明辉刘艳青王凯秦静
申请人 :
美若科技有限公司
申请人地址 :
山东省日照市北经济开发区创新创业中心三楼A区44号
代理机构 :
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
王丽莎
优先权 :
CN202010122113.4
主分类号 :
C23C16/27
IPC分类号 :
C23C16/27  C23C16/455  C23C16/511  C23C16/458  
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-04-15 :
授权
2020-06-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20200226
2020-05-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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