一种检测晶圆缺陷的方法及装置
授权
摘要
本发明提供了一种检测晶圆缺陷的方法及装置，属于晶圆制造领域。所述方法包括：获取所述晶圆上预设范围内的各缺陷的位置信息；根据所述各缺陷的位置信息和预设的计算公式，计算所述各缺陷的收敛程度；判断所述收敛程度是否大于预设阈值，如果是，则判定所述晶圆为不合格产品；如果否，则判定所述晶圆为合成产品。本发明提供的一种检测晶圆缺陷的方法及装置，可以根据缺陷的收敛程度判断晶圆是否为合格产品，从而避免将不合格产品误判为合格产品，以提高检测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种检测晶圆缺陷的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111341686A
申请号 ：
CN202010159765.5
公开（公告）日 ：
2020-06-26
申请日 ：
2020-03-10
授权号 ：
CN111341686B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
宋箭叶
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN202010159765.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-07-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20200310
申请日 : 20200310
2020-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111341686A.PDF
PDF下载
