PECVD镀膜设备的控制装置和控制方法
授权
摘要
本发明公开了一种PECVD镀膜设备的控制装置和控制方法。该装置包括控制电路;控制电路包括控制单元、数字量输入模组、通信模组和数字量输出模组;数字量输入模组用于获取PECVD镀膜设备的数字状态信号;控制单元与数字量输入模组连接,用于根据数字状态信号形成数字控制信号;数字量输出模组与控制单元连接,用于根据数字控制信号调节PECVD镀膜设备的运行状态;控制单元通过通信模组与PECVD镀膜设备的激发等离子动力源模组、腔室压力调节和测量模组连接,控制单元根据配方参数控制激发等离子动力源模组和腔室压力调节和测量模组的状态调节PECVD镀膜设备的运行状态,提高了PECVD镀膜设备的使用效率和控制精度。
基本信息
专利标题 :
PECVD镀膜设备的控制装置和控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111286725A
申请号 :
CN202010175155.4
公开(公告)日 :
2020-06-16
申请日 :
2020-03-13
授权号 :
CN111286725B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
邓必龙卢慧鹏
申请人 :
龙鳞(深圳)新材料科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市坪山区坪山街道六联社区坪山大道2007号创新广场裙楼202
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
孟金喆
优先权 :
CN202010175155.4
主分类号 :
C23C16/52
IPC分类号 :
C23C16/52 C23C16/50
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IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/52
镀覆工艺的控制或调整
法律状态
2022-04-22 :
授权
2020-07-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/52
申请日 : 20200313
申请日 : 20200313
2020-06-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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