一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构
授权
摘要
本发明涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，包括：裸芯片和封装件，其中，所述裸芯片包括裸芯片主体，所述裸芯片主体上设置有屏蔽结构以及若干第一引脚，若干第一引脚均与屏蔽结构连接；所述封装件包括引线框架主体和第一焊盘、所述裸芯片主体安装在所述引线框架主体上，所述第一焊盘与所述引线框架主体连接；所述第一引脚通过第一键合线与所述第一焊盘连接。本发明的四方扁平芯片封装结构，在裸芯片主体的上表面形成屏蔽结构，通过键合线将连接屏蔽结构的第一引脚与第一焊盘键合连接，形成了包裹裸芯片主体的屏蔽壳，无需开发专用的屏蔽壳体，就可以实现抗电磁脉冲干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111653552A
申请号 ：
CN202010549022.9
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN111653552B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
李妤晨
申请人 ：
西安科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区雁塔中路58号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
闫家伟
优先权 ：
CN202010549022.9
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20200616
申请日 : 20200616
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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