一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构，包括裸芯片和封装件，裸芯片包括裸芯片主体，裸芯片主体正面设置有裸芯片功能区域，在裸芯片功能区域周围设有若干第一引脚，裸芯片主体背面设置有金属层，金属层通过贯通裸芯片主体的若干TSV通孔与第一引脚形成电气连接；封装件包括基板、第一焊盘以及若干第一焊球，第一焊盘设置在基板上，裸芯片主体正面朝下安装在基板上，若干第一焊球设置在基板的底部，且通过贯通基板的若干通孔与第一焊盘形成电气连接，若干第一焊球之间通过金属相互连接；第一引脚与第一焊盘之间形成电气连接。本实用新型的倒装焊芯片封装结构，无需开发专用的屏蔽壳体，就可以实现抗电磁脉冲干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的倒装焊芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020548201.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN211879381U
授权日 ：
2020-11-06
发明人 ：
王起赵文波
申请人 ：
天水电子电器检测试验中心
申请人地址 ：
甘肃省天水市秦州区成纪大道新华2号楼
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
闫家伟
优先权 ：
CN202020548201.6
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2020-11-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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