一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构
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摘要
本发明涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构，包括：裸芯片和封装件，其中，裸芯片包括裸芯片主体，裸芯片主体上设置有屏蔽结构以及若干第一引脚，若干第一引脚均与屏蔽结构连接；封装件包括基板、第一焊盘以及若干第一焊球，第一焊盘设置在基板上，裸芯片主体安装在基板上，若干第一焊球设置在基板的底部，且通过贯通基板的若干通孔与第一焊盘形成电气连接；第一引脚通过第一键合线与第一焊盘连接。本发明的BGA芯片封装结构，在裸芯片主体的上表面形成屏蔽结构，通过键合线将连接屏蔽结构的第一引脚与第一焊盘键合连接，形成了包裹裸芯片主体的屏蔽壳，无需开发专用的屏蔽壳体，就可以实现抗电磁脉冲干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的BGA芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111653551A
申请号 ：
CN202010549015.9
公开（公告）日 ：
2020-09-11
申请日 ：
2020-06-16
授权号 ：
CN111653551B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
李妤晨
申请人 ：
西安科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区雁塔中路58号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李园园
优先权 ：
CN202010549015.9
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/552
申请日 : 20200616
申请日 : 20200616
2020-09-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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