一种纳米电容三维集成结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种纳米电容三维集成结构及其制造方法。该纳米电容三维集成结构制造方法在低阻硅衬底的正面和背面分别形成正面沟槽和背面沟槽，并在其中形成第一纳米电容结构和第二纳米电容结构，并且正面沟槽和背面沟槽之间形成有硅通孔结构。硅通孔结构直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的下电极，低阻硅衬底直接电气连通第一纳米电容结构和第二纳米电容结构的上电极，可以缩短互连线长度，从而有利于减小互连电阻和能量损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米电容三维集成结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112151538A
申请号 ：
CN202010944489.3
公开（公告）日 ：
2020-12-29
申请日 ：
2020-09-10
授权号 ：
CN112151538B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
朱宝陈琳孙清清张卫
申请人 ：
复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京得信知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟海娟
优先权 ：
CN202010944489.3
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-01-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/08
申请日 : 20200910
申请日 : 20200910
2020-12-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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