基于纳米线的结构的制造方法及包括该结构的电容器阵列组件
公开
摘要
通过在基板(10‑20)上形成导电材料岛(30a，30b)以及在导电岛之间的空间(35)中形成导电性牺牲层(40)来制造纳米线结构(5)。导电岛(30a，30b)包括阳极蚀刻阻挡层(30)。可阳极氧化层(50)形成在导电岛和牺牲层上方，并被阳极氧化以形成多孔模板(60)。纳米线(70)形成在多孔模板的叠覆在导电岛(30a，30b)上的区域(A)中。多孔模板和牺牲层的去除留下纳米线结构(5)，该纳米线结构(5)包括连接至用作集流器的相应导电岛(30a，30b)的隔离的纳米线组。相应的导电层和绝缘体层的堆叠形成在不同的纳米线组上方，以形成彼此电隔离的相应电容器。因此，可以形成包括纳米线上方形成的隔离电容器阵列的单片组件。
基本信息
专利标题 ：
基于纳米线的结构的制造方法及包括该结构的电容器阵列组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424309A
申请号 ：
CN202080065621.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱利安·埃尔萨巴希弗雷德里克·瓦龙久伊·帕拉特
申请人 ：
株式会社村田制作所;原子能与替代能源委员会
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杜诚
优先权 ：
CN202080065621.1
主分类号 ：
H01G4/33
IPC分类号 ：
H01G4/33 H01G4/38 C25D1/00 C25D1/04 C25D11/02 C25D11/04 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/33
薄膜或厚膜电容器
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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