透射电镜样品的制备方法及装置
实质审查的生效
摘要

本公开提供一种透射电镜样品的制备方法及装置。本公开的透射电镜样品的制备方法包括:制备预设尺寸的掩模板;将所述掩模板叠放于半导体样品表面的第一区域;利用聚焦离子束切削减薄所述半导体样品表面的第二区域,所述第二区域与所述第一区域相邻,以获得具有特定薄区的透射电镜样品。该方案的优点在于:在聚焦离子束切削样品时采用掩模板进行保护,可以控制新产品研发过程中聚焦离子束切削产生的波纹状损伤。采用该方法制作的透射电镜样品无波纹状损伤,质量高,从而改善了欲分析样品的图像质量,降低了分析周期,提高了研发效率。

基本信息
专利标题 :
透射电镜样品的制备方法及装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114323827A
申请号 :
CN202011065515.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李德元余嘉晗
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
刘广达
优先权 :
CN202011065515.1
主分类号 :
G01N1/28
IPC分类号 :
G01N1/28  H01J37/305  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样;制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 1/28
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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