一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺
授权
摘要
本发明公开了一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺，包括陶瓷本体和设置在陶瓷本体两侧的正负极,所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si 4‑5％、Ca 1.5‑2.5％、As 2.5‑3.5％、K 2‑3％、Mo 6‑7％、In 4‑5.5％，I 0.5‑2％；采用上述原料制备的高耐压的陶瓷电容器芯片，能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性能。
基本信息
专利标题 ：
一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420385A
申请号 ：
CN202011181570.7
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN112420385B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
刘志甫马名生储小兰罗亚成左生荣
申请人 ：
泗阳群鑫电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省宿迁市泗阳县卢集镇大元路北侧贵嘴路西侧全民创业园
代理机构 ：
合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘生昕
优先权 ：
CN202011181570.7
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01G13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/12
申请日 : 20201029
申请日 : 20201029
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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