边缘环以及退火装置
公开
摘要
本发明提供的一种边缘环以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生，有效的提高晶圆的质量。
基本信息
专利标题 ：
边缘环以及退火装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566439A
申请号 ：
CN202011358841.1
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2020-11-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴兴雨李河圣朱宁炳熊文娟蒋浩杰崔恒玮李亭亭
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011358841.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
