一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
基本信息
专利标题 ：
一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113257973A
申请号 ：
CN202011418472.0
公开（公告）日 ：
2021-08-13
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
CN113257973B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
陈芳莫春兰吴小明夏邦美李新华陶喜霞蒋恺江风益
申请人 ：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202011418472.0
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/36 H01L33/00
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-08-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/40
申请日 : 20201207
申请日 : 20201207
2021-08-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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