一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法，该LED芯片包括衬底及外延结构，P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出N型半导体层的N型台面，P型半导体层上设有透明导电层，透明导电层与P型半导体层之间设有电流阻挡层，透明导电层上设有第一绝缘层，第一导电层上设有高反射电极，第一绝缘层上设有第二绝缘层以将高反射电极覆盖，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过第一导电通孔与透明导电层接触进而与P型半导体层电性连接，N型导电电极通过第二导电通孔与N型半导体层电性连接，且P型导电电极、N型导电电极与高反射电极之间保持绝缘。旨在解决LED芯片金属电极结构反射效果较差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530537A
申请号 ：
CN202210147770.3
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张星星张亚迟博简弘安胡加辉金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭琰
优先权 ：
CN202210147770.3
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/40 H01L33/42
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/38
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
