用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉
公开
摘要
本发明提供的一种用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉，涉及半导体技术领域，包括：相互连接的气体输送段和气体扩散段，所述气体扩散段上开设有多个喷射孔，所述喷射孔为棱形孔，气体自所述气体输送段输送至所述气体扩散段，所述喷射孔以雾态形式向外喷射所述气体。在上述技术方案中，棱形孔能够在喷射气体时调整喷射的角度，使气体从棱形孔内喷射出时，各个角度更为均匀，使喷射角度最佳化。因此，当气体粒子落在晶圆上时，也能够保持各个区域的厚度一致，从而提高晶圆的质量。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体制造的气体输送管路以及扩散炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628272A
申请号 ：
CN202011436090.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭世根李亭亭项金娟蒋浩杰熊文娟田光辉
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011436090.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C30B29/06 C30B31/10 C30B31/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
