一种气体输送装置、输送方法及半导体制造设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种气体输送装置、输送方法及半导体制造设备，涉及半导体设备技术领域，以解决在半导体制备过程中气体通往工艺腔的途中发生冷凝，污染工艺腔或者堵塞管口的问题。所述气体输送装置，用于向工艺腔输送气体。所述气体输送装置包括输气管道、第一加热结构和第二加热结构。所述第一加热结构设于所述输气管道的外部。所述第二加热结构设于所述输气管道的内部。所述半导体制造设备包括上述技术方案所提的气体输送装置以及与所述气体输送装置连接的工艺腔。本发明提供的气体输送装置用于防止气体在输送至工艺腔的过程中发生冷凝，使得输气管道堵塞以及工艺腔污染的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种气体输送装置、输送方法及半导体制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334704A
申请号 ：
CN202011079890.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金暻台白国斌高建峰王桂磊丁云凌田光辉
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011079890.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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