一种提拉法制备高纯单晶锗的装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种提拉法制备单晶锗的装置，该装置包括腔内设有坩埚的锗单晶生长炉，坩埚周围设有加热装置，加热装置在单晶提拉方向的截面形状为“<>”形对称结构，将坩埚包围在中间，加热装置分为上部加热器和下部加热器，上部加热器和下部加热器的夹角为110°～160°，上部加热器和下部加热器内均设置有由上到下均布的若干个高频涡流感应线圈，以控制单晶周围温度场的轴向和径向梯度。本实用新型装置可以根据生产需要对制备单晶锗过程调控，具有极高的操作灵活性和自动化潜力。本实用新型所制备得到的晶体结晶性能良好，晶体无开裂、位错、气泡、夹杂、散射等缺陷，单晶重复率较高，达到了良好的长晶效果。
基本信息
专利标题 ：
一种提拉法制备高纯单晶锗的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020059996.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-11
授权号 ：
CN211497865U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
田庆华李俊郭学益李栋许志鹏
申请人 ：
中南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市麓山南路932号
代理机构 ：
长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘向丹
优先权 ：
CN202020059996.4
主分类号 ：
C30B29/08
IPC分类号 ：
C30B29/08 C30B15/14 C30B15/20 C30B15/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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