垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器,其包括:基片,具有承置面和与承置面成45度角的反射面;以及边发射激光器芯片,布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束,激光束的方向与承置面和反射面的交线垂直。本实用新型还提供垂直芯片表面发射激光器的一维阵列和二维阵列。本实用新型通过在具有45度反射面的散热基片上设置边发射激光器实现了边发射激光器到垂直芯片表面发射激光器的转化,并且实现了垂直表面发射激光器的一维和二维阵列。与垂直腔面发射激光器相比,这种垂直芯片表面发射激光器件结构简单、制造工艺成熟,从而加工成本更低、产品可靠性更高。

基本信息
专利标题 :
垂直芯片表面发射激光器及其一维和二维阵列
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020081085.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-14
授权号 :
CN211719953U
授权日 :
2020-10-20
发明人 :
朱颂义王元立
申请人 :
北京通美晶体技术有限公司
申请人地址 :
北京市通州区工业开发区东二街四号
代理机构 :
北京北翔知识产权代理有限公司
代理人 :
李星宇
优先权 :
CN202020081085.1
主分类号 :
H01S5/183
IPC分类号 :
H01S5/183  H01S5/42  H01S5/02  
法律状态
2021-08-03 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01S 5/183
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京通美晶体技术有限公司
变更后 : 北京通美晶体技术股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号
变更后 : 101113 北京市通州区工业开发区东二街四号
2020-10-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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