一种双层坩埚及其制造装置

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摘要

本实用新型是关于一种双层坩埚及其制造装置，涉及金属冶炼技术领域。主要采用的技术方案为：一种双层坩埚包括坩埚本体和内层坩埚模块；其中，坩埚本体的内壁上开设有多个定位槽；内层坩埚模块的数量与定位槽的数量一致，且内层坩埚模块上设置有与定位槽适配的第一凸起，以将多个内层坩埚模块连接在坩埚本体的内壁上，形成内层坩埚；其中，内层坩埚模块选用对金属液具有净化作用的材质。一种双层坩埚的制造装置用于在上述的双层坩埚中的坩埚本体上开设定位槽。本实用新型主要用于提供一种能提高冶炼金属的纯净度、且能降低制作成本的双层坩埚。

基本信息

专利标题：

一种双层坩埚及其制造装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020158641.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-10

授权号：

CN211953690U

授权日：

2020-11-17

发明人：

杨彦红周亦胄王新广孙晓峰

申请人：

中国科学院金属研究所

申请人地址：

辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

代理机构：

北京煦润律师事务所

代理人：

柴明英

优先权：

CN202020158641.0

主分类号：

F27B14/10

IPC分类号：

F27B14/10 C22C1/02