一种容性耦合滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及滤波器技术领域，具体为一种容性耦合滤波器，包括介质体，所述介质体外包覆有屏蔽层，所述介质体至少包括两个相邻的谐振部，所述谐振部之间的介质体上设有用于实现两个谐振部容性耦合的容性耦合孔，还包括至少一个调谐槽，所述调谐槽设置在容性耦合孔朝向谐振部的两侧的介质体上。本实用新型提供的一种容性耦合滤波器，可以降低容性耦合孔的深度要求，使得孔底与滤波器底部距离增大，降低加工难度，提高滤波器的结构强度，便于设计与调试，可以对容性耦合进行精调。
基本信息
专利标题 ：
一种容性耦合滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020210980.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211150736U
授权日 ：
2020-07-31
发明人 ：
何进军韦俊杰陈鹏李朝勇
申请人 ：
重庆思睿创瓷电科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市巴南区界石镇石桂大道18号10幢3-2
代理机构 ：
重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
蒙捷
优先权 ：
CN202020210980.9
主分类号 ：
H01P1/20
IPC分类号 ：
H01P1/20
法律状态
2020-07-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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