一种容性耦合结构及滤波器
授权
摘要
本实用新型涉及通信设备组件的技术领域，具体为一种容性耦合结构及滤波器，一种容性耦合结构，包括与多个相邻且不连接的谐振器相连的中间部，中间部包括用于连接谐振器的连接块，以及用于隔离谐振器的隔离腔，与同一中间部连接的两谐振器的电场方向不同。一种滤波器，包括多个谐振器，多个谐振器之间至少使用一个上述容性耦合结构，所述容性耦合结构使得其连接的谐振器间产生容性负耦合。采用本方案的容性耦合结构及滤波器能够解决现有技术中采用深加载的频率调试盲孔实现容性负耦合导致谐振极点产生的技术问题，通过容性耦合结构实现容性负耦合，消除低频率的谐振极点，避免带外抑制幅度过高。
基本信息
专利标题 ：
一种容性耦合结构及滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021261993.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212277366U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
何进军韦俊杰陈鹏
申请人 ：
重庆思睿创瓷电科技有限公司
申请人地址 ：
重庆市巴南区界石镇石桂大道18号10幢3-2
代理机构 ：
重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
蒙捷
优先权 ：
CN202021261993.5
主分类号 ：
H01P5/00
IPC分类号 ：
H01P5/00 H01P1/212 H01P1/20
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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