一种测量MOSFET功率模块热阻的装置
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摘要
一种测量MOSFET功率模块热阻的装置，属于半导体器件热阻测量技术领域。DUT(1)分别与栅压模块(3)、监测模块(4)、功率模块(5)、脉冲模块(6)、示波器(7)连接，首先建立VDS‑IDS‑TJ的三维关系曲线簇；然后通过器件正常工作时施加的VDS和IDS对比三维关系曲线簇获得模块的TJ；同时通过压簧式热电偶对其壳温(TC)进行采集；最终通过理论公式计算获得模块的热阻。本方法有效解决由于MOSFET功率模块中反并联续流二极管的存在而导致无法测量MOSFET结温及模块热阻的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种测量MOSFET功率模块热阻的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020258053.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
CN212622912U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
吕贤亮黄东巍郭春生王宝友张玉芹周钦沅高立闫美存赵雅君侯小利
申请人 ：
中国电子技术标准化研究院;北京工业大学
申请人地址 ：
北京市东城区安定门东大街1号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立改
优先权 ：
CN202020258053.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R27/02
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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