用于吸取芯片的破真空吸取器
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摘要

本实用新型公开了一种用于吸取芯片的破真空吸取器,其包括座体、安装于座体上的真空吸嘴及一气管,气管的第一端连通于真空吸嘴,气管的第二端连通于一安装于座体的转接件,真空吸嘴包括一具有第一气腔的吸嘴本体、安装于吸嘴本体底部的吸嘴头及一呈一体结构的弹出件,吸嘴头为一具有第二气腔的可伸缩弹性件,吸嘴本体的底部开设有连通于第一气腔的动作通道及多个气流通道,第二气腔借由气流通道连通于第一气腔,弹出件包括弹性伸缩部及呈直条状的顶推部,弹性伸缩部设置于第一气腔中,顶推部呈活动地穿过动作通道并伸至于第二气腔中,弹性伸缩部恒具有驱使顶推部伸出吸嘴头的趋势。本实用新型的破真空吸取器具有取放芯片稳定的优点。

基本信息
专利标题 :
用于吸取芯片的破真空吸取器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020379335.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-23
授权号 :
CN211507597U
授权日 :
2020-09-15
发明人 :
贺湘远唐绪伟钟峰辜诗涛郑朝生袁俊郑挺卢旭坤张亦锋崔剑波
申请人 :
广东利扬芯片测试股份有限公司
申请人地址 :
广东省东莞市万江街道莫屋新丰东二路2号
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
张艳美
优先权 :
CN202020379335.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2020-09-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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