一种气流分布装置及薄膜沉积设备
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种气流分布装置及薄膜沉积设备，该气流分布装置包括：气体分散腔体；气体分散腔体具有进气口以及与进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构，孔径结构为气体分散盘且气体分散盘具有多个第一通孔；气体分散腔体用于通过孔径结构中第一通孔对进入的气体进行气流路径补偿，和/或，气体分散腔体用于通过分散体结构对进入的气体进行气流路径补偿。本实用新型实施例中，气体从进气口进入，经过孔径结构和/或分散体结构实现了气流路径补偿，提高了腔体内部气体流量分布的均匀性，进而提高了后续镀膜工艺的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种气流分布装置及薄膜沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020418637.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN211921690U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
张丽娜王艳华梁舰卢青祝晓钊冯敏强
申请人 ：
江苏集萃有机光电技术研究所有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道1198号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN202020418637.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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